特許
J-GLOBAL ID：200903004896324129
半導体レーザ装置及び半導体レーザ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-230608
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058965
出願日： 1998年08月17日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 低抵抗化を図る半導体レーザ素子のジャンクションダウン・ボンディングを容易に且つ確実に行なえるようにし、また、基板の劈開時のリッジ部を保護できるようにする。【解決手段】 基板11のエピタキシャル層における中央部には、n型半導体層12、活性層13及びp型半導体層14を含む凸状部からなる共振器形成部が形成されている。共振器形成部におけるp型半導体層14の上部には中央部がストライプ状に突出したリッジ部14aが形成されている。共振器形成部の側方であって、n型半導体層12の露出部には、Ti/Alからなるn側電極16が形成されている。n側電極16のp側電極15側の領域、並びにp側電極15を除く共振器形成部の上面及び側面は、それぞれSiNからなる絶縁膜17に覆われている。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板の主面上に順次形成された第1導電型の第1の半導体層、活性層及び第2導電型の第2の半導体層からなり、前記第1の半導体層が前記第2の半導体層側に露出部を有する積層体と、前記第1の半導体層の露出部に設けられた第1のレーザ電極と、前記第2の半導体層における前記第1の半導体層の反対側の面に設けられた第2のレーザ電極とを有する半導体レーザ素子と、主面上における前記第1のレーザ電極と対向する位置に第1の保持体電極を有すると共に前記第2のレーザ電極と対向する位置に第2の保持体電極を有しており、主面が前記絶縁性基板の主面と互いに対向すると共に、前記第1のレーザ電極と前記第1の保持体電極とが接続し且つ前記第2のレーザ電極と前記第2の保持体電極とが接続するように前記半導体レーザ素子を保持している保持体とを備え、前記第1のレーザ電極における前記第2のレーザ電極側の領域は絶縁膜に覆われており、前記第1の保持体電極は、前記第1のレーザ電極における前記絶縁膜に覆われていない領域と接続されていることを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (5件)：
5F073AA11
, 5F073AA61
, 5F073CA02
, 5F073CB11
, 5F073FA16
