マイクロ波半導体集積回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：船橋國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-085641
公開番号（公開出願番号）：特開平6-276029
出願日： 1993年03月18日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】 FETの閾値電圧近傍のバイアス電圧を発生することが可能なマイクロ波半導体集積回路を提供する。【構成】ソースが接地され、ゲート及びドレインが共通接続されたFETQ1と、このFETQ1 のゲート・ドレイン共通接続点に電源電圧Vddを印加する負荷抵抗RL と、FETQ1 のゲートに接続された高インピーダンス素子としての抵抗RG 及びコンデンサCS とにより、ミキサ回路2を構成するFETQ2 のゲートバイアス電圧Vggを発生するバイアス回路1を構成し、FETQ1 のゲート幅wg 及び負荷抵抗RL を十分大きくすることによってゲートバイアス電圧Vggを閾値電圧Vthの近傍に設定する。

請求項（抜粋）：

能動回路素子に印加するバイアス電圧を発生するマイクロ波半導体集積回路であって、ソースが接地されかつゲート及びドレインが共通接続された電界効果型トランジスタと、前記電界効果型トランジスタのゲート・ドレイン共通接続点に電源電圧を印加する負荷素子と、前記電界効果型トランジスタのゲート・ドレイン共通接続点の電位を前記能動回路素子にそのバイアス電圧として供給する高インピーダンス素子とを備えたことを特徴とするマイクロ波半導体集積回路。

IPC (2件)：

H03D 7/12 , H04B 1/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-284007
特開平2-060213
特開平3-162110

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