特許

J-GLOBAL ID：200903000241308567

半導体装置及びその製造方法

発明者： 伊藤 信和 ,  松原 義久
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245684
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077411
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 銅配線を埋め込み形成するための溝をフォトリソグラフィー法で形成する際に、下層銅配線からの露光光の反射を防止する。【解決手段】 多層銅配線を含む半導体装置の少なくとも一つの銅配線層の下層に当たる銅配線表面を20nm/分以下の酸化レートで膜厚30nm以上の酸化銅に改質する。

請求項（抜粋）：

多層銅配線を含む半導体装置であって、少なくとも一つの銅配線層の下層に当たる銅配線表面が20nm/分以下の酸化レートで膜厚30nm以上の酸化銅に改質されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  C01G 3/02 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (4件)：

H01L 21/88 M ,  C01G 3/02 ,  H01L 21/316 S ,  H01L 21/90 A

Fターム (15件)：

5F033AA29 ,  5F033AA64 ,  5F033AA73 ,  5F033BA17 ,  5F033BA25 ,  5F033BA37 ,  5F033BA41 ,  5F033DA08 ,  5F033DA38 ,  5F058BA20 ,  5F058BC03 ,  5F058BF53 ,  5F058BF73 ,  5F058BH10 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-273437
  
• 特開平2-031448
  
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-214159   出願人：沖電気工業株式会社