特許
J-GLOBAL ID：200903000244683075
発光素子及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：
前田 弘
, 小山 廣毅
, 竹内 宏
, 嶋田 高久
, 竹内 祐二
, 今江 克実
, 藤田 篤史
, 二宮 克也
, 原田 智雄
, 井関 勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-088368
公開番号（公開出願番号）：特開2006-269912
出願日： 2005年03月25日
公開日（公表日）： 2006年10月05日
要約：
【課題】コンタクト抵抗が低く且つ発光光の反射率が高い電極を備えた高輝度の発光素子を実現できるようにする。【解決手段】基板1の上にn型のGaNからなるn型コンタクト層2が形成されている。n型コンタクト層2の一部を露出させるように、n型コンタクト層2の上には、n型のAlGaNからなるn型クラッド層3と、発光層4と、p型のAlGaNからなるp型クラッド層5と、p型のGaNからなるp型コンタクト層6とが順次積層されている。p型コンタクト層6の上には厚さが150nmのAgからなる光学反射金属膜7と、厚さが100nmのWからなる拡散防止金属膜8と、厚さが150nmのAuからなるカバー金属膜9とが順次積層されたp型電極12が形成されている。n型コンタクト層2の露出部分にはTi、Al、Ni及びAuが順次積層されたn型電極13が形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
発光層を含む半導体層積層体と、
前記発光層からの発光光を前記半導体層積層体の外部へ取り出す面とは逆の面上に形成され、前記発光光を反射する光学反射金属膜と、
前記光学反射金属膜の上に形成され、前記光学反射金属膜の剥離を防止するカバー金属膜と、
前記光学反射金属膜と前記カバー金属膜との間に形成され且つ前記光学反射金属膜と前記カバー金属膜との間の相互拡散を防止する拡散防止金属膜とを備え、
前記拡散防止金属膜は、タングステン、レニウム及びタンタルのうちのいずれか1つからなる単層膜又は2つ以上からなる積層膜であることを特徴とする発光素子。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (6件)：
5F041AA03
, 5F041AA24
, 5F041CA40
, 5F041CA86
, 5F041CA87
, 5F041CA92
