特許
J-GLOBAL ID：200903008242349799
反射p電極を有する窒化物半導体発光装置およびその製造方法ならびに半導体光電子装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
上野 英夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-345584
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186598
出願日： 1997年12月15日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】p型窒化物半導体の反射電極の特性向上とその発光装置への応用。【解決手段】p型窒化物半導体層に銀層を備え、該銀層が反射p電極として機能するとともに短波長光の反射層として機能するようにその厚さ20nmより厚くしている。上記銀の機械的、電気的特性とを向上するため金属や誘電体の安定化層で銀層を覆うのが好ましい。また反射率を高くするため安定化層を回路接続用金属層と、該金属層と銀層間に介入挿入された銀への拡散が少なく金属層の銀への拡散を阻止する拡散阻止層とを備えるようにすることができる。本発明のp電極を備えたLEDは基板側から発光するようにフリップチップ方式でパッケージに実装されるとp電極の高い反射率の恩恵をより多く得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板と該基板上のn型窒化物半導体層と、n型窒化物半導体層上の窒化物半導体からなる活性層と、活性層上のp型窒化物半導体層と、p型窒化物半導体層上の前記活性層が発生する光を反射させるための厚さ20nm超過の銀層と、を備えたLED部材。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 33/00 C
, H01L 33/00 E
, H01L 23/00
