特許

J-GLOBAL ID：200903000255790779

絶縁膜の成膜方法

発明者： 鬼頭 英至
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-153855
公開番号（公開出願番号）：特開平8-022986
出願日： 1994年07月05日
公開日（公表日）： 1996年01月23日
要約：

【要約】【構成】 Si-N結合を有する有機Si化合物を含む原料ガスを用い、基板上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の高い下層絶縁膜をプラズマCVDにより成膜した後、基板を大気から遮断された状態に維持したまま、SiH4 とN2 やNH3 とを含む混合ガスを用いて、あるいは、Si-N結合を有する有機Si化合物とN2 やNH3 とを用いて、前記下層絶縁膜上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の低い上層絶縁膜をプラズマCVDにより成膜する。【効果】 優れたカバレージを確保しつつ、絶縁耐性、耐水性、耐腐蝕性といった膜質に優れた絶縁膜を成膜できる。このため、微細なデザインルールに基づく半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させることが可能となる。また、スルプットを低下させることもなく、経済性にも優れている。

請求項（抜粋）：

Si-N結合を有する有機Si化合物を含む原料ガスを用い、基板上にSiN系薄膜あるいはSiON系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の高い下層絶縁膜をCVDにより成膜する工程と、前記下層絶縁膜上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の低い上層絶縁膜をCVDにより成膜する工程とを有する絶縁膜の成膜方法。

IPC (2件)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/768

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-039934
  
• 半導体装置の保護膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-284351   出願人：川崎製鉄株式会社
• 特開平4-039934