特許
J-GLOBAL ID：200903000265884356
単結晶製造装置及び製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福田 武通 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-101516
公開番号（公開出願番号）：特開平7-277869
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月24日
要約：
【要約】【目的】 垂直ブリッジマン法を用いた単結晶製造装置及び製造方法に関するものであり、特に化合物半導体単結晶、酸化物単結晶製造に適した製造装置及び製造方法を提供する。【構成】 垂直ブリッジマン法による単結晶製造装置において、加熱機構の高温部81 ,82 と低温部83 との間に所定の長さの断熱部7を設置し、これにより固液界面形状が上に凸になり、無転位の健全な単結晶の収率が向上する。
請求項（抜粋）：
単結晶成長用の坩堝内の底部に種結晶を収容し、さらにその上部に原料を収容し、上記坩堝の外側から加熱機構により、前記種結晶収容部分の温度が低く、前記原料収容部分の温度が高くなるような温度勾配に加熱し、且つ前記原料が融液となるように昇温し、前記温度勾配をそのまま上方へ移動するように前記坩堝、又は、前記加熱機構を相対的に移動させることにより単結晶成長操作を行う垂直ブリッジマン法による単結晶製造装置において、加熱機構の高温部と低温部との間に所定の長さの断熱部を設置したことを特徴とする単結晶製造装置。
IPC (2件)：
引用特許：
前のページに戻る
