特許
J-GLOBAL ID:200903000274967493

EUVLマスク用基板の製造方法及びその基板を用いたEUVLマスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-196150
公開番号(公開出願番号):特開2008-027992
出願日: 2006年07月18日
公開日(公表日): 2008年02月07日
要約:
【課題】平面度の高いEUVL用マスクの基板を提供する。【解決手段】平面度の高いEUVLマスク用の基板121の製造方法であって、基板121の凸部31が位置する部分の裏面の近傍にレーザ光を集光し、裏面の近傍にボイド34を作成するステップと、基板121の凹部32が位置する表面の近傍にレーザ光を集光し、表面の近傍にボイド36を作成するステップと、基板121の裏面に導電膜121bを、裏面の凹部に対して凸部よりも厚く形成するステップとを有するEUVLマスク用基板の製造方法。【選択図】 図3
請求項(抜粋):
表面に凸部と凹部とを有するEUVLマスク用の基板の製造方法であって、 前記基板の前記凸部が位置する部分の裏面の近傍にレーザ光を集光し、前記裏面の近傍にボイドを作成するステップと、 前記基板の前記凹部が位置する表面の近傍にレーザ光を集光し、前記表面の近傍にボイドを作成するステップと、 前記基板の裏面に導電膜を、前記裏面の凹部に対して凸部よりも厚く形成するステップとを有するEUVLマスク用基板の製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/16
FI (2件):
H01L21/30 531M ,  G03F1/16 A
Fターム (10件):
2H095BB25 ,  2H095BB27 ,  2H095BB28 ,  2H095BB35 ,  2H095BC28 ,  5F046GD02 ,  5F046GD10 ,  5F046GD12 ,  5F046GD16 ,  5F046GD20
引用特許:
出願人引用 (1件)

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