特許

J-GLOBAL ID：200903000283287233

集積回路の製造方法

発明者： アネッタ マーガレット クレバース ,  ウィリアム グラハム イースター
出願人/特許権者： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 三俣 弘文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-121807
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340172
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：

【要約】【課題】ダイ内のレベル間誘電体層の変動を低減する化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】 本発明は、複数回の研磨プロセスを用いて、基板上に形成された平面化層を平面化し、平面化層の厚さの変動を低減している。本発明の多数回の研磨プロセスは、(1)基板が研磨表面に対し、移動する速度を調整すること、および/または(2)研磨プロセスの間、基板上にかかる圧力を調整することにより行われる。このプロセスにより、平面化層内の隆起した表面を除去あるいは低下させる。このプロセスはまた平面化層の全体の厚さも低減できる。

請求項（抜粋）：

(A) 基板を第1研磨速度で研磨するステップ(215)と、(B) 前記基板を第1研磨速度とは異なる第2研磨速度で研磨するステップ(230)とからなることを特徴とする集積回路の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-040917
  
• ウェーハ研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-127442   出願人：川崎製鉄株式会社