半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：堀口浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-010423
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194376
出願日： 2006年01月18日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：

【課題】ボンディングワイヤを用いずに小型化された半導体装置の製造方法の工程を減らすことができ、信頼性の高い半導体装置を提供する。【解決手段】金属板10上に半導体素子20を固定する工程と、金属板10上の半導体素子20表面にバンプ30を設ける工程と、バンプ30と接触するように、金属板10上に金型40を設ける工程と、金属板10と金型40の間に樹脂50を封止する工程と、金型40を取り除き、バンプ30と電気的に接続するように、金属板70を設ける工程と、金属板10上に固定された半導体素子20ごとに、金属板10、金属板70及び樹脂50を切断する工程を備えることを特徴としている。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

第1の金属板上に少なくとも一つの半導体素子を固定する工程と、前記第1の金属板上の前記半導体素子表面にバンプを設ける工程と、前記バンプと接触するように、前記第1の金属板上に金型を設ける工程と、前記第1の金属板と前記金型の間に樹脂を封止する工程と、前記金型を取り除き、前記バンプと電気的に接続するように、第2の金属板を設ける工程と、前記第1の金属板上に固定された前記半導体素子ごとに、前記第1の金属板、前記第2の金属板及び前記樹脂を切断する工程と、を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 23/48

FI (1件)：

H01L23/48 F

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-361998 出願人：三洋電機株式会社

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