特許

J-GLOBAL ID：200903093210902116

半導体装置の製造方法

発明者： 篠木 裕之 ,  徳重 利洋智 ,  高井 信行
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 芝野 正雅
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-361998
公開番号（公開出願番号）：特開2001-176899
出願日： 1999年12月21日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】 チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 メタルポスト8を形成した後、第1のダイシング工程で溝21を形成し全体を樹脂封止する。続いて、ウエハ裏面を前記溝21底部に到達する位置まで研磨して各チップ20A毎に分割する。更に、前記樹脂層Rを研磨して、前記メタルポスト8の頭部を露出させる。そして、前記メタルポスト8上に半田ボールを搭載した後、第2のダイシング工程で、隣り合うチップ20A間の樹脂層R部分をダイシングすることで、各チップ20A毎に分離する工程とを有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

メタルポストを形成した後に所定深さまでウエハをダイシングする工程と、前記ウエハ上面を樹脂封止して樹脂層を形成した後に前記ウエハ裏面を研磨する工程と、前記樹脂層を研磨して前記メタルポストの頭部を露出させる工程と、前記メタルポスト上に半田ボールを搭載する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/56 ,  H01L 21/301 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/60 ,  H01L 23/12

FI (6件)：

H01L 21/56 E ,  H01L 21/78 L ,  H01L 21/88 T ,  H01L 21/92 602 F ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L

Fターム (24件)：

5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK08 ,  5F033KK33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM05 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033TT01 ,  5F033VV07 ,  5F061AA01 ,  5F061BA07 ,  5F061CA05 ,  5F061CB12 ,  5F061CB13

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置の製造方法および半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-325159   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
• 半導体素子とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-016959   出願人：旭化成電子株式会社, 旭化成工業株式会社
• 積層型コネクターおよび回路基板検査用アダプター装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-345725   出願人：ジェイエスアール株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-231894   出願人：沖電気工業株式会社