特許
J-GLOBAL ID:200903000301252078

熱電材料の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-111490
公開番号(公開出願番号):特開2000-307158
出願日: 1999年04月19日
公開日(公表日): 2000年11月02日
要約:
【要約】【課題】 低比抵抗かつ高い性能指数を有する低消費電力が求められるデバイスに好適な熱電材料の製造方法を提供する。【解決手段】 Bi及びSbからなる群から選択された少なくとも1種の元素と、Te及びSeからなる群から選択された少なくとも1種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜又は粉末にする工程と、これにより得られた薄膜又は粉末の結晶粒の配向性が乱れない条件でプラズマ焼結により固化成形する工程と、を有する。
請求項(抜粋):
Bi及びSbからなる群から選択された少なくとも1種の元素と、Te及びSeからなる群から選択された少なくとも1種の元素とを含有する原料を液体急冷法により薄膜又は粉末にする工程と、これにより得られた薄膜又は粉末の結晶粒の配向性が乱れない条件でプラズマ焼結により固化成形する工程と、を有することを特徴とする熱電材料の製造方法。
IPC (6件):
H01L 35/16 ,  B22F 3/10 ,  H01L 35/34 ,  B22F 9/04 ,  B22F 9/08 ,  C22C 12/00
FI (6件):
H01L 35/16 ,  H01L 35/34 ,  B22F 9/04 C ,  B22F 9/08 Z ,  C22C 12/00 ,  B22F 3/10 F
Fターム (9件):
4K017AA04 ,  4K017BA10 ,  4K017BB03 ,  4K017EA03 ,  4K017EC01 ,  4K018AA40 ,  4K018BC01 ,  4K018EA21 ,  4K018KA32
引用特許:
審査官引用 (3件)

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