導電性膜の加工装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：黒田壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-035071
公開番号（公開出願番号）：特開平11-320141
出願日： 1999年02月12日
公開日（公表日）： 1999年11月24日
要約：

【要約】【課題】エッチング処理を含むフォトリソグラフィ法を用いた場合のような廃液処理の必要がなく、低コストで他品種少量生産に好適であって、加工寸法のばらつき、導電性膜の一部の残留、絶縁性基板の損傷等が少ない導電性膜の加工装置を提供する。【解決手段】近赤外レーザ光(波長λ=1064nm)を出射するYAGレーザ1と、該レーザ1から出射したレーザ光を絶縁性の透明基板3上の導電性膜4の近傍までガイドするステップインデックス型の光ファイバ201からなる光学系2と、透明基板3が載置される載置台5bを有するX-Yステージ5と、レーザ光の照射方向と直交する方向に透明基板3を移動させるようにX-Yステージ5を駆動制御コントローラ6とを設ける。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板の表面に形成した導電性膜の一部を除去する導電性膜の加工装置であって、エネルギービームを出射するエネルギービーム源と、該エネルギービーム源からのエネルギービームの断面におけるエネルギー分布を均一にするとともに、該エネルギービームを該絶縁性基板上の導電性膜に選択的に照射するビーム照射手段と、該絶縁性基板を保持する基板保持手段と、該絶縁性基板と該基板に照射するエネルギービームとを相対移動させるように、該基板保持手段及び上記ビーム照射手段の少なくとも一方を駆動制御する制御手段とを設けたことを特徴とする導電性膜の加工装置。

FI (2件)：

B23K 26/00 H , B23K 26/00 D

引用特許：

審査官引用 (7件)

レーザ加工装置及びレーザ加工方法並びに液晶パネル
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-172687 出願人：セイコーエプソン株式会社
特開平4-017218
特開平2-165883

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