特許

J-GLOBAL ID：200903000308468564

炭化珪素バイポーラ型半導体装置

発明者： 三柳 俊之 ,  土田 秀一 ,  鎌田 功穂 ,  石井 竜介 ,  中山 浩二 ,  菅原 良孝
出願人/特許権者： 財団法人電力中央研究所 ,  関西電力株式会社
代理人 (3件)： 鈴木 俊一郎 ,  牧村 浩次 ,  八本 佳子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-169263
公開番号（公開出願番号）：特開2009-010120
出願日： 2007年06月27日
公開日（公表日）： 2009年01月15日
要約：

【課題】メサ構造をもつ炭化珪素バイポーラ型半導体装置において、素子の表面付近に存在する欠陥核を起点とした積層欠陥の発生およびその面積拡大を抑制し、これにより順方向電圧の増加を抑制する。【解決手段】第1導電型炭化珪素単結晶基板、第1導電型炭化珪素ドリフト層、第2導電型炭化珪素電荷注入層および該炭化珪素電荷注入層よりもドーピング密度が高い第2導電型の高ドーピング層が、この順序にて積層してなり、前記炭化珪素ドリフト層から前記高ドーピング層側の素子表面に至るメサ構造を有し、前記高ドーピング層の厚さが15nm〜1.5μmであり、かつ、前記高ドーピング層における最大ドーピング密度が1×1020cm-3〜2×1021cm-3であることを特徴とする炭化珪素バイポーラ型半導体装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1導電型炭化珪素単結晶基板、エピタキシャル成長法により形成される第1導電型炭化珪素ドリフト層、エピタキシャル成長法により形成される第2導電型炭化珪素電荷注入層、および該炭化珪素電荷注入層よりもドーピング密度が高い第2導電型の高ドーピング層が、この順序にて積層してなり、 前記炭化珪素ドリフト層から前記高ドーピング層側の素子表面に至るメサ構造を有し、 前記高ドーピング層の厚さが15nm〜1.5μmであり、かつ、前記高ドーピング層における最大ドーピング密度が1×1020cm-3〜2×1021cm-3であることを特徴とする炭化珪素バイポーラ型半導体装置。

IPC (9件)：

H01L 29/861 ,  H01L 29/06 ,  H01L 29/744 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/732 ,  H01L 29/739 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 21/336

FI (9件)：

H01L29/91 D ,  H01L29/06 301G ,  H01L29/91 F ,  H01L29/74 C ,  H01L29/72 P ,  H01L29/78 655A ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 658E ,  H01L29/78 658A

Fターム (13件)：

5F003AP06 ,  5F003BA91 ,  5F003BA92 ,  5F003BB05 ,  5F003BC02 ,  5F003BG03 ,  5F003BM01 ,  5F003BZ01 ,  5F005AF02 ,  5F005AH02 ,  5F005AH03 ,  5F005BA01 ,  5F005CA05

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 国際公開 03/038876号パンフレット
  

審査官引用 (1件)

• ショットキーダイオード、pn接合ダイオード、pin接合ダイオード、および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-060364   出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社