特許

J-GLOBAL ID：200903000323762274

半導体装置

発明者： 反保 敏治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 村山 光威
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-013956
公開番号（公開出願番号）：特開2006-203036
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2006年08月03日
要約：

【課題】エミッタ、ベース、コレクタ電極を同一にすることで大幅な工程削減と微細化を実現するとともに、ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ特性の安定化を実現した半導体装置を提供する。【解決手段】エミッタ構造、ベース構造、コレクタ構造の1E19/cm3以上のn++InGaAs層104,408、p+GaAs層302のノンアロイ層を配することで各電極構造を同一構造化することが可能となり、また各電極構造の各半導体層のキャリアの高濃度と低濃度もしくは混晶比の連続性を持たせることによりヘテロ接合型バイポーラトランジスタ特性の安定化が図れる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタにおいて少なくとも2層以上の積層構造を有する金属からなる電極を配し、かつエミッタ電極、ベース電極、コレクタ電極それぞれに同一構造を有してなる半導体装置において、 前記2層以上の積層構造を有する金属の下層金属は、この下層金属に接する半導体層と熱処理による合金化もしくは拡散反応するものとし、 エミッタ層が、キャリア濃度1E19/cm3以上の濃度からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層と同一元素からなり下層となる第3の半導体層の元素構成となるように前記半導体層の特定元素を減少し混晶比を変化せしめ、キャリア濃度も同様に前記第3の半導体層の濃度に前記第1の半導体層の濃度から減少させた第2の半導体層と、前記第1の半導体層よりバンドギャプが大きくかつ3E18〜1E16/cm3の範囲のキャリア濃度を上層となる前記第2の半導体層から減少せしめた前記第3の半導体層と、前記第3の半導体層と同一元素からなり下層となる第5の半導体層のキャリア濃度となるよう前記第3の半導体層のキャリア濃度から増加せしめた第4の半導体層と、キャリア濃度が1〜3E18cm3からなる前記第5の半導体層と、上層となる前記第1から第4の半導体層よりバンドギャップの大きい半導体からなりキャリア濃度が1E16〜1E17/cm3の範囲で徐々に減少せしめた第6の半導体層と、前記第6の半導体層と同一元素でキャリア濃度が1〜5E17/cm3の範囲の第7の半導体層とからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417

FI (4件)：

H01L29/72 H ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301R ,  H01L29/50 B

Fターム (19件)：

4M104AA04 ,  4M104BB09 ,  4M104CC01 ,  4M104DD78 ,  4M104DD83 ,  4M104FF13 ,  4M104GG06 ,  4M104HH14 ,  5F003AP00 ,  5F003BA92 ,  5F003BB01 ,  5F003BC01 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BG06 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP41

引用特許：

出願人引用 (1件)

• ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-267331   出願人：シャープ株式会社