特許

J-GLOBAL ID：200903032699114680

ヘテロ接合型バイポーラトランジスタ

発明者： 吐田 真一 ,  高橋 直
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-267331
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076015
出願日： 2000年09月04日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：

【要約】【課題】 良好な素子特性および高い信頼性が得られるヘテロ接合型バイポーラトランジスタを提供する。【解決手段】 p+型GaAsベース層104上にn型InGaP第1エミッタ層105,n型AlxGa1-xAs(x=0.3)第2エミッタ層106およびn型AlxGa1-xAs(x=0.3)第3エミッタ層107を順次積層する。上記n型AlxGa1-xAs(x=0.3)第2エミッタ層106の不純物濃度を、n型InGaP第1エミッタ層105およびn型AlxGa1-xAs(x=0.3)第3エミッタ層107の不純物濃度よりも高くする。これにより不純物濃度の高いn型AlxGa1-xAs(x=0.3)第2エミッタ層106からn型InGaP第1エミッタ層105とのヘテロ界面にキャリアが供給され、界面のキャリア濃度の低下を抑える。

請求項（抜粋）：

ベース層上に第1エミッタ層,第2エミッタ層および第3エミッタ層が順次積層されたヘテロ接合型バイポーラトランジスタであって、上記第1エミッタ層はInGaPからなると共に、上記第2,第3エミッタ層は少なくとも化合物半導体からなり、上記第2エミッタ層の不純物濃度が上記第1エミッタ層および上記第3エミッタ層の不純物濃度よりも高いことを特徴とするヘテロ接合型バイポーラトランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/205

FI (2件)：

H01L 29/205 ,  H01L 29/72

Fターム (7件)：

5F003AP04 ,  5F003BA92 ,  5F003BE01 ,  5F003BF06 ,  5F003BM03 ,  5F003BP32 ,  5F003BP96

引用特許：

審査官引用 (4件)

• バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-234651   出願人：日本電気株式会社
• バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-176752   出願人：トムソン-セーエスエフ
• 化合物半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-099189   出願人：富士通株式会社
• ヘテロ接合バイポーラトランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-141652   出願人：日本電信電話株式会社