特許

J-GLOBAL ID：200903000337221659

マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成装置

発明者： ▲高▼井 康好 ,  武井 哲也 ,  大利 博和 ,  岡村 竜次
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-187650
公開番号（公開出願番号）：特開平5-033142
出願日： 1991年07月26日
公開日（公表日）： 1993年02月09日
要約：

【要約】【構成】 マイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成装置において、マイクロ波導入手段が導波管103とマイクロ波導入誘電体窓102で構成されたものであり、マイクロ波導入誘電体窓102が、焼結後の平均粒径およびかつ理論密度と嵩密度の比がそれぞれ所定の範囲内のαアルミナを母材とするセラミックスである。【効果】 放電開始時に必要なマイクロ波電力を低減し、放電安定性が向上し、素子部材として特性の良い堆積膜を定常的に安定して高歩留まりで作製することが可能になる。また、成膜と堆積膜除去という過酷な条件の繰り返し使用に対して、その特性を長期間維持することが可能となる。

請求項（抜粋）：

実質的に密封し得る反応容器内に基体を配置し、前記基体と接する放電空間にマイクロ波を導入してマイクロ波放電プラズマを生成させるマイクロ波導入手段と、原料ガスを供給する供給手段と、前記反応容器内を排気する排気手段とを有するマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成装置であって、前記マイクロ波導入手段が、少なくとも、導波管と、マイクロ波透過性の材料で構成されたものであり、該マイクロ波透過性の材料が、焼結後の平均粒径およびかつ理論密度と嵩密度の比がそれぞれ所定の範囲内のαアルミナを母材とするセラミックスであることを特徴とするマイクロ波プラズマCVD法による堆積膜形成装置。

IPC (3件)：

C23C 16/50 ,  G03G 5/08 360 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭64-056873
  
• プラズマ処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-167845   出願人：富士通株式会社