特許
J-GLOBAL ID：200903000343791025

高体積分率SiC予備成形体の製造方法

発明者：
ソーン・ヒュン・ホン

ソーン・ヒュン・ホン について

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ヒョ・ソー・リー

ヒョ・ソー・リー について

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キュン・ヨーン・ジョン

キュン・ヨーン・ジョン について


出願人/特許権者：
コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー

コリア アドバンスト インスティテュート オブ サイエンス アンド テクノロジー について


代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-333622
公開番号（公開出願番号）：特開2001-287989
出願日： 2000年10月31日
公開日（公表日）： 2001年10月16日
要約：
【要約】【課題】 金属複合材料に使用される予備成形体の製造方法を提供する。【解決手段】 本発明の高体積分率SiC予備成形体を製造する方法はボールミリングによりSiC粒子を含むスラリーを製造する段階と、上部金型及び下部金型に吸収体を設置した金型内部にSiC粒子を含むスラリーを入れて一軸加圧してスラリーの残留水分量を減少させる段階と、一軸加圧後残留水分量が減少したSiC粒子を含むスラリーを乾燥してSiC予備成形体を製造する段階と、この予備成形体を焼成する段階とからなる。本発明は予備成形体の体積分率を70vol%以上に向上させて高体積分率を維持しながら金属基材を含浸させ低い熱膨張係数と高い熱伝導度が要求される電子パッケージング及び宇宙航空産業用部品の生産のための複合材料製造用の基礎素材として広範囲に使用して電子パッケージング及び宇宙航空産業用部品の高付加価値の部品国産化が可能になるものと期待される。
請求項１：
高体積分率SiC予備成形体を製造する方法において、0.2〜48μm範囲の粒径が互いに異なる2種類以上のSiC粒子、有機バインダー、無機バインダー、凝集剤及び蒸留水を混合してボールミリングによりSiC粒子を含むスラリーを製造する段階と、上部金型及び下部金型に吸収体を設置した金型内部に前記SiC粒子を含むスラリーを入れて加圧してスラリーの残留水分量を減少させる段階と、加圧後、残留水分量が減少したSiC粒子を含むスラリーを完全乾燥してSiC予備成形体を製造する段階と、この予備成形体を焼成する段階とを有することを特徴とする高体積分率SiC予備成形体の製造方法。
IPC (4件)：
C04B 35/565 ,  H01L 23/06 ,  H01L 23/08 ,  C22C 1/10
FI (4件)：
H01L 23/06 B ,  H01L 23/08 C ,  C22C 1/10 G ,  C04B 35/56 101 N
Fターム (17件)：
4G001BA22 ,  4G001BA78 ,  4G001BA87 ,  4G001BB22 ,  4G001BC13 ,  4G001BC16 ,  4G001BC17 ,  4G001BC23 ,  4G001BC34 ,  4G001BC52 ,  4G001BC55 ,  4G001BD03 ,  4G001BD05 ,  4K020AA22 ,  4K020BA05 ,  4K020BB22 ,  4K020BB41
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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