特許
J-GLOBAL ID：200903000352782470
スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-107057
公開番号（公開出願番号）：特開2007-277659
出願日： 2006年04月10日
公開日（公表日）： 2007年10月25日
要約：
【課題】光学膜の成膜に好適なスパッタ成膜装置およびスパッタ成膜方法を提供する。【解決手段】基板搬送装置2を真空槽3内に備え、基板搬送装置2の外側の真空槽3との間の空間に、バルク材料からなる回転円筒型マグネトロンスパッタリングにより超薄膜を基板1上に形成するスパッタ領域4、5、6と、反応性ガスにより前記超薄膜を所望の化合物超薄膜に変換する反応領域7と、アシスト領域8を設け、前記反応領域7は、該領域内の反応ガスを誘導結合によりプラズマ化するプラズマ発生手段を備え、前記プラズマ発生手段は、真空槽3の外側に設けられた高周波電源11、コイル電極12と、前記真空槽3の壁体に設けられた、基板搬送装置2の回転の周方向に所望の長さを有する誘導電磁界導入窓13とを有し、基板1を前記スパッタ領域4、5、6からアシスト領域8および反応領域7に搬送して、この工程を繰り返して所望の化合物薄膜を基板1上に形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板を保持する回転可能な基板搬送装置を真空槽内に備え、
前記基板搬送装置の外周部とその外側の前記真空槽との間の環状空間に、バルク材料からなる回転円筒型マグネトロンスパッタリングによりターゲット材からなる超薄膜を前記基板搬送装置に保持された基板上に形成するスパッタ領域と、反応性ガスにより前記超薄膜を所望の化合物超薄膜に変換する反応領域とを設け、
前記反応領域は、該領域内の反応ガスを誘導結合によりプラズマ化するためのプラズマ発生手段を備え、前記プラズマ発生手段は、前記真空槽の外側に設けられた誘導電磁界発生装置と、前記真空槽の壁体に設けられた、前記基板搬送装置の回転の周方向に所望の長さを有して前記誘導電磁界発生装置により発生した誘導電磁界を反応領域内に導入する誘導電磁界導入窓とを有し、
前記基板搬送装置を回転させて、前記基板搬送装置に保持された基板を前記スパッタ領域から前記反応領域に搬送して処理し、この工程を繰り返して所望の化合物薄膜を基板上に形成することを特徴とするスパッタ成膜装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
C23C14/34 S
, C23C14/34 T
, G02B5/28
2H048GA04
, 2H048GA14
, 2H048GA19
, 2H048GA32
, 2H048GA60
, 2H048GA61
, 4K029AA09
, 4K029BA43
, 4K029BA46
, 4K029BB02
, 4K029BC07
, 4K029CA05
, 4K029DC02
, 4K029DC03
, 4K029DC39
, 4K029GA00
