特許
J-GLOBAL ID：200903029874069942
金属化合物薄膜の形成方法および成膜装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
臼村 文男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-073166
公開番号（公開出願番号）：特開平11-256327
出願日： 1998年03月05日
公開日（公表日）： 1999年09月21日
要約：
【要約】【課題】 特性の安定した金属化合物薄膜を、薄膜にダメージを与えることを防止して、低温基板温度で高速に形成する。【解決手段】 真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と、この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し、金属化合物超薄膜を複数層形成・堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成する金属化合物薄膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
真空槽内で基板上に金属ないし金属の不完全反応物からなる金属超薄膜を形成する工程と、この金属超薄膜に電気的に中性な反応性ガスの活性種を接触せしめ、金属超薄膜と反応性ガスの活性種とを反応せしめて金属化合物超薄膜に変換せしめる工程とを順次繰り返し、金属化合物超薄膜を複数層形成・堆積することにより、目的とする膜厚の金属化合物薄膜を基板上に形成することを特徴とする金属化合物薄膜の形成方法。
IPC (4件)：
C23C 14/35
, C23C 14/24
, C23C 14/58
, H05H 1/46
C23C 14/35 Z
, C23C 14/24 S
, C23C 14/58 Z
, H05H 1/46 L
