特許
J-GLOBAL ID：200903000353708860
酸化物超電導導体およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
志賀 正武 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-081155
公開番号（公開出願番号）：特開平5-282932
出願日： 1992年04月02日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【構成】 基材とこの基材の成膜面上に形成された多結晶薄膜とこの多結晶薄膜上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記多結晶薄膜が立方晶系の多結晶薄膜であり、基材の成膜面と平行な面に沿う各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が30度以下に形成されてなり、かつ前記酸化物超電導層が、化学気相成長法により形成された多結晶薄膜であり、各結晶粒が前記結晶薄膜の結晶配向に整合されて形成された酸化物超電導導体。【効果】 酸化物超電導層の結晶軸の配向性が揃えられ、そのc軸が成膜面と直角に向いて並び、成膜面に沿う方向に電流が流れ易いa軸またはb軸が向いた構造となり、臨界電流密度(Jc)が向上する。
請求項（抜粋）：
基材とこの基材の成膜面上に形成された多結晶薄膜とこの多結晶薄膜上に形成された酸化物超電導層とを具備してなる酸化物超電導導体において、前記多結晶薄膜が、基材の成膜面上に形成された多数の結晶粒を結晶粒界を介して結合してなる立方晶系の多結晶薄膜であり、基材の成膜面と平行な面に沿う各結晶粒の同一結晶軸が構成する粒界傾角が30度以下に形成されてなり、かつ前記酸化物超電導層が、化学気相成長法により形成された多数の結晶粒を結晶粒界を介して結合してなる多結晶薄膜であり、各結晶粒が前記結晶薄膜の結晶配向に整合されて形成されてなることを特徴とする酸化物超電導導体。
IPC (5件)：
H01B 12/06 ZAA
, C01G 1/00 ZAA
, C30B 29/22 501
, H01B 13/00 565
, H01L 39/24 ZAA
