特許

J-GLOBAL ID：200903000429154370

レチクル、半導体ウェハおよび半導体装置の製造方法

発明者： 山岸 博文
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 森 哲也 ,  内藤 嘉昭 ,  崔 秀▲てつ▼
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-364619
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129781
出願日： 2003年10月24日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 チップサイズが微小化した場合においても、チップの占有率の低下を抑制しつつ、必要十分なアライメントマークを確保する。【解決手段】 レチクルR1のチップ領域C1 ́〜C3 ́の一部のチップ領域C1 ́、C2 ́のみにアライメントマークM1 ́、M2 ́を配置することにより、ウェハW1のチップ領域C1〜C3の一部のチップ領域C1、C2のみにアライメントマークM1、M2を形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

所定間隔で配列された複数のチップ領域と、 前記複数のチップ領域から選択された一部のチップ領域に配置されたアライメントマークとを備えることを特徴とするレチクル。

IPC (2件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08

FI (3件)：

H01L21/30 502M ,  G03F1/08 N ,  H01L21/30 502P

Fターム (6件)：

2H095BE03 ,  5F046EA02 ,  5F046EB01 ,  5F046EB02 ,  5F046EB05 ,  5F046EB06

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-053392   出願人：株式会社ニコン