特許
J-GLOBAL ID：200903000436786420
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206252
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054615
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 厚膜のレジストに順テーパー形状の開孔を形成する。【解決手段】 被処理基板である半導体基板10上に、1.5μm以上の厚膜のレジスト20を塗布する。次に、このレジスト20を露光して開孔22を形成するが、その際、露光時の焦点位置をレジスト20のボトム側へデフォーカスさせる。これにより、厚膜のレジスト20に順テーパー形状の開孔22を形成することがき、アンダーメタル30蒸着時のステップカバーレッジが良好となり、アンダーメタルの段切れが生じない。
請求項（抜粋）：
被処理基板上に感光部材を塗布する工程と、前記感光部材に、前記感光部材のボトム側へ向かうにしたがって狭まる露光光線を当てることにより、前記感光部材を所望のパターンに露光する工程と、前記感光部材を現像処理することにより前記感光部材における前記露光光線を当てた部分を除去して、前記感光部材に前記ボトム側へ向かって狭まる順テーパー形状の開孔を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/027
H01L 21/90 N
, H01L 21/30 502 D
, H01L 21/30 576
