特許
J-GLOBAL ID：200903000449205184
半導体装置とその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-028132
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223771
出願日： 1997年02月12日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：
【要約】【課題】 複数の電圧レベルを扱う半導体装置とその製造方法に関し、製造工程の増加を抑制し、かつ低電圧回路用のMOSトランジスタの性能の低下も抑制することのできる多電源デバイスを提供する。【解決手段】 比較的低電圧で駆動されるMOSトランジスタと比較的高電圧で駆動されるMOSトランジスタとを同一半導体基板上に有する半導体装置であって、前記比較的高電圧で駆動されるMOSトランジスタは、前記半導体基板中の第1導電型の第1活性領域と、前記第1活性領域上に形成され、トランジスタの電流方向に関し、側端部において中央部より増大した厚さを有する第1ゲート酸化膜と、前記第1ゲート酸化膜上に形成され、第1導電型と逆の第2導電型不純物を比較的低濃度にドープされた第1電極とを有し、前記比較的低電圧で駆動されるMOSトランジスタは、前記半導体基板中の第1導電型の第2活性領域と、前記第2活性領域上に形成された第2ゲート酸化膜と、前記第2ゲート酸化膜上に形成され、比較的高濃度の第2導電型不純物をドープされた第2電極とを有する。
請求項（抜粋）：
比較的低電圧で駆動されるMOSトランジスタと比較的高電圧で駆動されるMOSトランジスタとを同一半導体基板上に有する半導体装置であって、前記比較的高電圧で駆動されるMOSトランジスタは、前記半導体基板中の第1導電型の第1活性領域と、前記第1活性領域上に形成され、トランジスタの電流方向に関し、側端部において中央部より増大した厚さを有する第1ゲート酸化膜と、前記第1ゲート酸化膜上に形成され、第1導電型と逆の第2導電型不純物を比較的低濃度にドープされた第1電極とを有し、前記比較的低電圧で駆動されるMOSトランジスタは、前記半導体基板中の第1導電型の第2活性領域と、前記第2活性領域上に形成された第2ゲート酸化膜と、前記第2ゲート酸化膜上に形成され、比較的高濃度の第2導電型不純物をドープされた第2電極とを有する半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/8234
, H01L 27/088
, H01L 29/78
H01L 27/08 102 D
, H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 X
