特許

J-GLOBAL ID：200903000452962239

半導体基板の熱処理のための方法及び装置

発明者： グリフィス スチュワート ケイ ,  ニルソン ロバート エイチ ,  マットソン ブラッド エス ,  サバス スチーブン イー
出願人/特許権者： マットソン テクノロジイ インコーポレイテッド ,  サンディア コーポレイション
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-567891
公開番号（公開出願番号）：特表2002-523909
出願日： 1999年08月20日
公開日（公表日）： 2002年07月30日
要約：

【要約】本発明は、半導体ウェーハ(135)の熱処理のための装置及び方法である。個々のウェーハ(135)は、ほぼ一定で等温度で行われる炉の空洞部(120)に挿入及びそこから引き出される。挿入及び引き出し速度は、炉(110)に入ると共に出る時に、熱応力を制限し、それにより、ウェーハのプラスチック変形を減少又は防止するのに十分大きい。実質的に等温の空洞部(120)内で半導体ウェーハ(135)を処理することにより、ウェーハ温度及びウェーハ温度の空間的均一性は、空洞部の壁(121,122,123)の温度のみを測定及び制御することにより保証可能である。さらに、空洞部温度は循環されず、空洞部(120)の熱容量は比較的大きいので、ピーク電力の要求は、ランプ加熱による急速熱処理装置と比較して非常に小さい。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハの急速熱処理装置であって、a)底部、側壁及び頂部を有する炉であって、その底部、側壁及び頂部は、加熱手段を備え、実質的に一定で均一な温度に維持されると共に半導体ウェーハを受け入れるようになっている空洞部を形成する炉と、b)前記ウェーハを前記空洞部に挿入すると共に該空洞部から周囲に直接引き出すための手段であって、挿入速度は、少なくとも900°Cの空洞温度で少なくとも0.2m/secであり、引き出し速度は少なくとも前記挿入速度と同じであるウェーハの挿入及び引き出し手段と、c)挿入及び引き出し速度を制御する手段と、を備えていることを特徴とする装置。

IPC (4件)：

H01L 21/26 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/265 602 ,  H01L 21/68

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/265 602 B ,  H01L 21/68 A ,  H01L 21/26 G

Fターム (21件)：

5F031CA02 ,  5F031FA01 ,  5F031FA07 ,  5F031GA02 ,  5F031GA12 ,  5F031GA42 ,  5F031GA51 ,  5F031GA55 ,  5F031GA60 ,  5F031JA46 ,  5F031JA51 ,  5F031LA09 ,  5F031LA12 ,  5F031LA13 ,  5F031MA28 ,  5F045EC05 ,  5F045EK05 ,  5F045EK22 ,  5F045EN04 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 半導体ウェーハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204602   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 特開昭64-071119
  

審査官引用 (4件)

• 半導体ウェーハの熱処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-204602   出願人：三菱マテリアル株式会社, 三菱マテリアルシリコン株式会社
• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-252088   出願人：セイコーエプソン株式会社
• 特開昭64-071119
  
• 特開昭64-071119