特許
J-GLOBAL ID：200903000453719176

プラズマ処理装置

発明者：
前田 賢治

前田 賢治 について

, 
横川 賢悦

横川 賢悦 について

, 
金清 任光

金清 任光 について


出願人/特許権者：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

株式会社日立ハイテクノロジーズ について


代理人 (1件)： 鈴木 市郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-025333
公開番号（公開出願番号）：特開2006-216605
出願日： 2005年02月01日
公開日（公表日）： 2006年08月17日
要約：
【課題】 微細デバイスに対応した高精度加工を均一に施すことのできるプラズマ処理技術を提供する。【解決手段】 減圧可能な処理容器1と、処理容器内に試料を載置するステージ2と、処理容器のステージに対向する面側にステージと平行に配置した略円形のアンテナ電極7と、処理室内に処理ガスを導入するガス導入手段10と、処理容器内に磁場を形成し、形成した磁場とアンテナ電極から放射される電磁波との相互作用により処理容器内にプラズマを生成する外部コイル6と、前記アンテナ電極の半径方向の少なくとも異なる3点におけるプラズマの発光強度をモニタする発光モニタ30と、外部コイルに供給する励磁電流を調整する制御部33を備え、該制御部33は、発光モニタ30のモニタ結果をもとに外部コイル6に供給する励磁電流を調整して、プラズマの発光強度を均一に制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
減圧可能な処理容器と、 処理容器内に試料を載置するステージと、
IPC (1件)：
H01L 21/306
FI (2件)：
H01L21/302 101D ,  H01L21/302 103
Fターム (14件)：
5F004AA01 ,  5F004BA06 ,  5F004BA09 ,  5F004BA20 ,  5F004BB07 ,  5F004BB11 ,  5F004BB28 ,  5F004BB29 ,  5F004CA09 ,  5F004CB09 ,  5F004DA00 ,  5F004DA23 ,  5F004DA26 ,  5F004DB03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM