特許

J-GLOBAL ID：200903000457810798

応力測定装置および半導体製造装置

発明者： 太田 裕之 ,  西村 朝雄 ,  熊沢 鉄雄 ,  池田 修二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-281290
公開番号（公開出願番号）：特開平9-126913
出願日： 1995年10月30日
公開日（公表日）： 1997年05月16日
要約：

【要約】【課題】高温真空中もしくは高温の成膜ガス中における薄膜の応力測定を可能にする。【解決手段】レーザをスリット状のシール窓,ヒータに設けたスリットを通り、薄膜の形成されていない基板裏面に向かって照射する。薄膜の種類や膜厚、あるいは測定時間の影響を受けず、高温真空中もしくは高温成膜ガス中での応力測定を可能とする。

請求項（抜粋）：

薄膜の付着した基板の反りから薄膜の応力を測定する装置において、薄膜形成面の裏面に光を照射し、その反対角度から該薄膜の応力を測定することを特徴とする応力測定装置。

IPC (4件)：

G01L 1/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

G01L 1/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 Z ,  H01L 21/66 L