特許

J-GLOBAL ID：200903000472489793

堆積膜厚測定方法及び成膜装置

発明者： 工藤 和朗
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-344722
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189560
出願日： 1996年12月25日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】成膜装置において、チャンバ内壁7に堆積する堆積膜の厚さを随時に測定することができる堆積膜厚測定方法および再生可能な堆積膜測定モニタを具備する成膜装置を提供する。【解決手段】チャンバ内壁7に成膜される堆積膜Bと同じように先端面に被着される堆積膜Aが形成される一対の測定端子1をチャンバ内に設け、ウェハに成膜を施した後に、導電プレート2を測定端子1の先端面と接触させ、堆積膜の容量あるいは抵抗値を容量及び抵抗測定器5で測定し、測定される容量または抵抗値からチャンバ内壁7の堆積膜Bの厚さを求める。

請求項（抜粋）：

成膜装置における成膜すべき半導体基板を収納するチャンバの内壁に所定の間隔に離間させ取付けられるとともに互いに一平面内にある平坦な先端面をもつ一対の測定端子の該先端面に導電部材を電気的に接触させ、前記先端面に堆積された誘電膜あるいは導電膜が堆積された前記一対の測定端子間の静電容量または抵抗値を測定し前記チャンバ内壁に堆積する誘電膜または導電膜の堆積膜厚を求めることを特徴とする堆積膜厚測定方法。

IPC (4件)：

H01L 21/31 ,  G01B 7/06 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/02

FI (5件)：

H01L 21/31 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/02 Z ,  G01B 7/08

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造用の薄膜成膜装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-077245   出願人：菱電セミコンダクタシステムエンジニアリング株式会社, 三菱電機株式会社
• 特開平1-155616