半導体製造用の薄膜成膜装置

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：高田守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-077245
公開番号（公開出願番号）：特開平7-283148
出願日： 1994年04月15日
公開日（公表日）： 1995年10月27日
要約：

【要約】【目的】この発明は、装置の稼動率を高く維持でき、かつ堆積物に対するクリーニング条件の最適化をも容易に図ることができる半導体製造用の薄膜成膜装置を提供することを目的とする。【構成】内部に薄膜成膜用の反応ガスを流入して半導体製造用のウェハWに薄膜を成膜する場合に、ウェハW近傍の装置内面に、この装置内面に堆積する堆積物の厚さを検出するセンサ10を取り付けた。このような薄膜成膜装置では反応ガスによりウェハWに薄膜の成膜する際に、装置内面にも堆積物が堆積するため、内面のクリーニングが必要となるが、この薄膜成膜装置ではセンサ10により常時堆積物の堆積厚さが検出でき、堆積物量の調査のために装置を停止することなく、最適なクリーニング条件で装置内面の堆積物のクリーニングができる。

請求項（抜粋）：

内部に薄膜成膜用の反応ガスを流入して、内部に配設された半導体製造用のウェハ表面に薄膜を成膜する半導体製造用の薄膜成膜装置において、装置内面に、この装置内面に堆積する堆積物の厚さを検出するセンサを取り付けたことを特徴とする半導体製造用の薄膜成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 , H01L 21/31

引用特許：

審査官引用 (12件)

特開平4-012251
特開平3-006818
特開平1-223303

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