特許
J-GLOBAL ID：200903000475280216
半導体装置の作製方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230057
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133594
出願日： 1999年08月16日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 結晶性半導体膜から触媒元素を効率よく除去する。【解決手段】 非晶質シリコン膜、微結晶シリコン膜等でなる低級結晶性半導体膜12に接してNi膜13を形成する。低級結晶性半導体薄膜12を450〜650°Cで加熱してNiを拡散させた結晶性半導体薄膜14を形成する。再び500〜1100°Cで加熱して半導体膜14に残存した非晶質成分を結晶化し、結晶性を高めた結晶性半導体膜15を形成する。次に、結晶性半導体膜15にレーザ光又は強光を照射して、半導体膜15中でシリサイド状態で局在しているNiを拡散しやすい状態する。次に、結晶性半導体膜15に触媒元素を選択的に添加して、15族添加領域15aを形成する。次に500〜850°Cで加熱して、被ゲッタリング領域15bに残存した触媒元素を15族元素添加領域15a吸い取らせる。
請求項（抜粋）：
低級結晶性半導体膜に触媒元素を導入する工程Aと、前記低級結晶性半導体膜を加熱処理して、前記半導体膜内に触媒元素を拡散させる工程Bと、前記触媒元素が拡散された半導体膜を加熱処理して、結晶性を高める工程Cと、前記結晶性を高めた半導体膜に15族元素を選択的に添加する工程Dと、前記結晶性を高めた半導体膜を加熱処理して、前記15族元素が添加された領域に前記触媒元素を吸い取らせる工程Eと、を有し、前記工程E以前に、前記結晶性を高めた半導体膜にレーザー光又は強光を照射する工程Fを有することを特徴とする半導体装置の作製方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
