電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 池田成人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-060221
公開番号（公開出願番号）：特開2004-273630
出願日： 2003年03月06日
公開日（公表日）： 2004年09月30日
要約：

【課題】半導体窒化物系化合物半導体を用いてリーク電流の少ない電界効果トランジスタを製造する。【解決手段】基板1上に活性層3およびゲート絶縁層4を順次に形成する。ゲート絶縁層の表層部4cは、窒化物系化合物半導体から構成されている。ゲート絶縁層の上面には、AlN層15が被着される。その後、AlN層から窒素を脱離してAl層16を形成し、続いて、Al層を酸化させてAlOxからなる保護層5を形成する。AlN層は、窒化物系化合物半導体から構成されるゲート絶縁層の表層部の形成後に連続して形成できる。これにより、ゲート絶縁層の上面が清浄に保たれる。このため、AlOx保護層とゲート絶縁層との間に極めて良好な界面が形成される。この結果、ゲートリーク電流が低減される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を設けるとともに、窒化物系化合物半導体から構成される表層部を有するゲート絶縁層を前記活性層の上に設ける工程と、前記ゲート絶縁層の上面にAlN層を被着する工程と、前記AlN層から窒素を脱離してAl層を形成する工程と、前記Al層を酸化させてAlOxからなる保護層を形成する工程とを備える電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (8件)：

H01L21/336 , H01L21/316 , H01L21/318 , H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/786 , H01L29/812

FI (9件)：

H01L29/78 617V , H01L21/316 B , H01L21/316 X , H01L21/318 A , H01L29/78 618B , H01L29/78 617T , H01L29/78 301N , H01L29/78 301B , H01L29/80 H

Fターム (73件)：

5F058BA11 , 5F058BD01 , 5F058BD04 , 5F058BD05 , 5F058BF02 , 5F058BF73 , 5F058BJ10 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD10 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM09 , 5F102GQ01 , 5F102GV05 , 5F102HC00 , 5F102HC01 , 5F102HC21 , 5F110AA06 , 5F110BB13 , 5F110CC01 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110FF01 , 5F110FF10 , 5F110FF27 , 5F110GG04 , 5F110GG12 , 5F110GG19 , 5F110GG42 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL27 , 5F110HL30 , 5F110NN02 , 5F110NN22 , 5F110NN32 , 5F110NN33 , 5F110NN40 , 5F110QQ09 , 5F140AA24 , 5F140AC36 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA16 , 5F140BB18 , 5F140BC12 , 5F140BD01 , 5F140BD04 , 5F140BD11 , 5F140BD15 , 5F140BE05 , 5F140BE07 , 5F140BE09 , 5F140BF05 , 5F140BF08 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BG27 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140CC02 , 5F140CC11 , 5F140CC12 , 5F140CE16

引用特許：

出願人引用 (1件)

半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560616 出願人：クリーインコーポレイテッド

審査官引用 (1件)

半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-560616 出願人：クリーインコーポレイテッド

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