特許

J-GLOBAL ID：200903060895375258

半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ

発明者： シェパード,スコット・トーマス ,  アレン,スコット・トーマス ,  パルモア,ジョン・ウィリアムズ
出願人/特許権者： クリー インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-560616
公開番号（公開出願番号）：特表2002-520880
出願日： 1999年06月02日
公開日（公表日）： 2002年07月09日
要約：

【要約】半絶縁性炭化ケイ素基板、該基板上の窒化アルミニウム緩衝層、該緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層、該窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウム活性構造、該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層、および該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース、ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクトを含んでいる高電子移動度トランジスタ(HEMT)が開示される。

請求項（抜粋）：

高電子移動度トランジスタ(HEMT)であって: 半絶縁性炭化ケイ素基板; 該基板上の窒化アルミニウム緩衝層; 該緩衝層上の絶縁性窒化ガリウム層; 該窒化ガリウム層上の窒化アルミニウム・ガリウムの活性構造; 該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造上のパッシベーション層;および 該窒化アルミニウム・ガリウム活性構造に対するソース、ドレインおよびゲートそれぞれのコンタクトを含んでなる、上記の高電子移動度トランジスタ(HEMT)。

IPC (4件)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/26

FI (2件)：

H01L 29/26 ,  H01L 29/80 H

Fターム (17件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GK02 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GM09 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR12 ,  5F102GS04 ,  5F102GT03 ,  5F102GT04 ,  5F102GT05 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒素含有半導体物質のデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-096411   出願人：シーメンスアクチエンゲゼルシヤフト
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-146563   出願人：ソニー株式会社
• 窒化物系化合物半導体のエッチング方法および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-170541   出願人：ソニー株式会社
• 成長結晶基板並びにそれを用いた半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-057645   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (1件)

• High Speed High Power AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistors with improved Ohmic Contact