特許
J-GLOBAL ID：200903000510931292

隣接メモリセルとのフィールド結合によって、影響を受けたメモリセルからのデータ回復を行う技法

発明者：
チェン,ジアン

チェン,ジアン について

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ファーム,ロング シー.

ファーム,ロング シー. について

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マック,アレキサンダー ケイ.

マック,アレキサンダー ケイ. について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について


代理人 (1件)： 井ノ口 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-011503
公開番号（公開出願番号）：特開2003-249085
出願日： 2003年01月20日
公開日（公表日）： 2003年09月05日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの隣接行を後でプログラムした結果としてメモリセルの1つの行に記憶された見かけの電荷レベルの減損を解決する技法。【解決手段】 後でプログラムされた行のデータを記憶した後、そのセルの電荷レベルが共通のレベルに従って駆動される。セルの第1の行の電荷レベルは、第2の行の電荷レベルから均一な影響を受け、その結果、第1の行に記憶されたデータの読出しに成功する可能性が大幅に上昇する。
請求項（抜粋）：
第1のグループの個々のメモリセルの記憶エレメント内の複数の電荷レベルの異なる電荷レベルとして記憶されたマルチビットデータを読み出す方法において、前記第1のグループの前記セルの前記記憶エレメントがフィールド結合された、第2のグループの隣接メモリセルの記憶エレメント内の複数の電荷レベルの異なる電荷レベルビットとして記憶された別のデータにより前記読み出されたデータが破損され、前記第2のグループのメモリセルの前記記憶エレメント内に前記記憶された電荷レベルを読み出し、該電荷レベルによって、前記第2のグループのメモリセル内に記憶された前記データを読み出すステップと、前記第2のグループのメモリセルの前記記憶エレメントから読み出されたデータを前記第1のグループまたは第2のグループのメモリセルの外側の場所に記憶するステップと、前記第2のグループの前記メモリセルの前記個々の記憶エレメントに記憶された前記電荷レベルをその後変更し、該電荷レベルによって、前記第1のグループのメモリセルの前記記憶エレメントから読み出された見かけの電荷レベルを変更するステップと、前記第1のグループのメモリセルの前記記憶エレメントに記憶された前記電荷レベルをその後読み出し、該電荷レベルによって、前記第2のグループのセルの前記記憶エレメントに記憶された変更された電荷レベルを用いて、前記第1のグループのメモリセルの前記記憶エレメントに記憶された前記データを読み出すステップと、を有することを特徴とする方法。
IPC (4件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  G11C 16/06 ,  G11C 29/00 631
FI (6件)：
G11C 29/00 631 D ,  G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 622 A ,  G11C 17/00 622 E ,  G11C 17/00 639 C
Fターム (11件)：
5B025AA07 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE08 ,  5L106AA10 ,  5L106BB12 ,  5L106EE04 ,  5L106EE05 ,  5L106FF04 ,  5L106FF05 ,  5L106GG05
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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