特許
J-GLOBAL ID：200903069307002472

複数のデータ状態で動作する不揮発性メモリのストレージエレメント間の結合による影響を低減させるための動作技術

発明者：
ジアン・チェン

ジアン・チェン について

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トモハル・タナカ

トモハル・タナカ について

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ユピン・フォン

ユピン・フォン について

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カンドカー・エヌ.・クアダー

カンドカー・エヌ.・クアダー について


出願人/特許権者：
サンディスク コーポレイション

サンディスク コーポレイション について

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株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 特許業務法人 明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-187020
公開番号（公開出願番号）：特開2003-109386
出願日： 2002年06月27日
公開日（公表日）： 2003年04月11日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】隣接するフローティングゲート間の電荷結合による作用を最低限に抑える。また、その分布の圧縮を実施する。【解決手段】ストレージエレメントが電気的なフローティングゲートであるフラッシュ電気的消去可能プログラマブルROM(EEPROM)は、隣接するセルのプログラム後にセルの一部を再びプログラムすることによって、隣接するフローティングゲート間の電荷結合による作用を最低限に抑えるように動作する。また、第2のプログラミング動作は、少なくともいくつかのプログラミング状態にあるチャージレベルに対して、その分布の圧縮を実施する。これは、状態間の間隔を広げ、より多数の状態を所定のストレージウィンドウの中に含ませることを可能にする。
請求項（抜粋）：
不揮発性メモリシステムを動作させる方法であって、当該システムにおいて、メモリエレメントアレイのいくつかのストレージエレメントに格納された値は、ストレージエレメント間の少なくとも電界結合が原因で、他のストレージエレメントから読み出される値に作用し、前記方法は、第1組のデータに対応する第1組の格納値を、第1群のストレージエレメントに書き込む動作と、次いで、第2組のデータに対応する第2組の格納値を、前記第1群とは異なる第2群のストレージエレメントに書き込む動作であって、前記第2組の格納値の少なくともいくつかは、ストレージエレメント間の少なくとも電界結合が原因で、前記第1群のストレージエレメントの少なくともいくつかから読み出される値に作用する、動作と、ストレージエレメント間の少なくとも電界結合が原因で前記第2組の格納値が前記第1群のストレージエレメントの前記少なくともいくつかから読み出される値に及ぼす作用を緩和するために、前記第1群のストレージエレメントに書き込まれた前記第1組の格納値を変更し、それによって、前記第1組のデータをより正確に前記第1群のストレージエレメントから読み出せるようにする動作と、を備える方法。
IPC (6件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/04 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792
FI (6件)：
G11C 17/00 611 E ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371 ,  G11C 17/00 611 A ,  G11C 17/00 641 ,  G11C 17/00 622 E
Fターム (28件)：
5B025AA01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5F083EP02 ,  5F083EP23 ,  5F083EP32 ,  5F083EP76 ,  5F083ER03 ,  5F083ER23 ,  5F083LA04 ,  5F083LA05 ,  5F083LA10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083NA01 ,  5F083ZA20 ,  5F083ZA21 ,  5F101BA01 ,  5F101BB05 ,  5F101BC01 ,  5F101BD22 ,  5F101BD34 ,  5F101BE02 ,  5F101BE05 ,  5F101BE07 ,  5F101BF05 ,  5F101BH26
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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