特許
J-GLOBAL ID：200903000544376115

異方性エッチング方法およびその装置

発明者：
大井 浩之

大井 浩之 について


出願人/特許権者：
三菱マテリアルシリコン株式会社

三菱マテリアルシリコン株式会社 について


代理人 (1件)： 安倍 逸郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-178630
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012511
出願日： 1998年06月25日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：
【要約】【課題】 ウェーハ表面の異方性エッチングの安定化、半導体ウェーハのエッチング面に発生するμピラミッド数の低減、エッチング深さの均一化を同時に達成することができる異方性エッチング装置およびその方法を提供する。【解決手段】 異方性エッチング時、異方性エッチング液の液面からは、異方性エッチング液の熱により、常に一部成分が蒸発している。そこで、エッチング中、常に蒸発量に合わせて蒸発成分を補充する。よって、異方性エッチング液の温度変化や濃度変化を原因としたウェーハエッチング面でのμピラミッドの多発や、エッチング深さのバラツキが抑えられる。同時に、蒸発成分は、エッチング中少量ずつ連続補充されるので、液温や濃度の変化もほとんどなく、異方性エッチング液の組成変化を防止できる。その結果、エッチングの安定化も図れる。
請求項（抜粋）：
開口部を有する異方性エッチング槽内に貯留された異方性エッチング液に半導体ウェーハを浸漬して、そのウェーハの面を異方性エッチングする異方性エッチング方法において、異方性エッチング中、異方性エッチング液の液面から蒸発した異方性エッチング液の蒸発成分を、その蒸発量に合わせて、常時、補充する異方性エッチング方法。
FI (2件)：
H01L 21/306 C ,  H01L 21/306 J
Fターム (7件)：
5F043AA02 ,  5F043BB02 ,  5F043DD07 ,  5F043DD27 ,  5F043EE16 ,  5F043EE29 ,  5F043EE40
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体ウエーハのエッチング方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-097762   出願人：信越半導体株式会社, 長野電子工業株式会社
  • 特開昭60-223131
  • 特開平2-076229
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