特許
J-GLOBAL ID:200903000550281819

ガス化溶融処理プラントの制御方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩出 真一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-373170
公開番号(公開出願番号):特開2001-182925
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月06日
要約:
【要約】【課題】 ごみのガス化溶融において、流動層温度、溶融炉温度を安定に保ち、安定ガス化、安定溶融を実現する。【解決手段】 流動床ガス化炉10と溶融炉32とを備えたガス化溶融処理プラントにおいて、流動層温度制御装置70で流動層温度を流動空気量にて制御し、溶融炉温度制御装置72で溶融炉温度をごみ供給量にて制御し、さらに、ごみ供給量操作による流動層温度への干渉を相殺する非干渉器74を設ける。
請求項(抜粋):
ごみを給じん装置により流動床ガス化炉に供給して流動層内で還元性雰囲気で熱分解し、可燃性ガス及び未燃固形分を生成させ、流動床ガス化炉で生成した可燃性ガス及び未燃固形分を溶融炉で高温燃焼させて、未燃固形分中の灰分を溶融スラグとして回収すると同時にダイオキシン類を分解するようにしたガス化溶融処理プラントにおいて、流動層温度を流動空気量で制御し、溶融炉温度をごみ供給量で制御し、ごみ供給量操作による流動層温度への干渉を非干渉器での流動空気量補正により相殺して、流動層温度及び溶融炉温度を安定化させることを特徴とするガス化溶融処理プラントの制御方法。
IPC (12件):
F23G 5/50 ZAB ,  F23G 5/50 ,  B09B 3/00 302 ,  B09B 3/00 ,  F23G 5/00 115 ,  F23G 5/027 ZAB ,  F23G 5/14 ZAB ,  F23G 5/30 ZAB ,  F23J 1/00 ,  F27B 15/18 ,  F27D 17/00 101 ,  F27D 19/00
FI (14件):
F23G 5/50 ZAB H ,  F23G 5/50 ZAB E ,  F23G 5/50 ZAB F ,  F23G 5/50 ZAB M ,  B09B 3/00 302 G ,  B09B 3/00 302 F ,  F23G 5/00 115 Z ,  F23G 5/027 ZAB B ,  F23G 5/14 ZAB F ,  F23G 5/30 ZAB B ,  F23J 1/00 B ,  F27B 15/18 ,  F27D 17/00 101 A ,  F27D 19/00 A
Fターム (53件):
3K061AA11 ,  3K061AA23 ,  3K061AB02 ,  3K061AB03 ,  3K061AC01 ,  3K061BA02 ,  3K061CA01 ,  3K061CA07 ,  3K061DA13 ,  3K061DA19 ,  3K061DB06 ,  3K061DB16 ,  3K061DB17 ,  3K061DB18 ,  3K061DB20 ,  3K061EA01 ,  3K061EB15 ,  3K061NB03 ,  3K061NB13 ,  3K061NB15 ,  3K061NB30 ,  3K062AA11 ,  3K062AA23 ,  3K062AB02 ,  3K062AB03 ,  3K062AC01 ,  3K062BA02 ,  3K062BB02 ,  3K062CB03 ,  3K062DA01 ,  3K062DB01 ,  3K062DB07 ,  3K078AA02 ,  3K078BA03 ,  3K078CA02 ,  3K078CA22 ,  3K078CA25 ,  4D004AA46 ,  4D004CA27 ,  4D004CA29 ,  4D004DA01 ,  4D004DA02 ,  4D004DA06 ,  4D004DA12 ,  4K046HA11 ,  4K046KA06 ,  4K046LA02 ,  4K046LA04 ,  4K056AA12 ,  4K056BA01 ,  4K056CA20 ,  4K056DA13 ,  4K056DB07
引用特許:
審査官引用 (5件)
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