半導体記憶装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-283708
公開番号（公開出願番号）：特開平9-185887
出願日： 1996年10月25日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】メモリチップ中の個々のメモリセルのオフリーク電流を低減する。【解決手段】メモリチップの待機時に、メモリセル21を構成するフリップフロップの接地電源線24を間欠的にフローティング状態にする。そのため、接地電源線24と電源VSSとの間にNMOSトランジスタQN5を介在させ、そのゲートを活性化信号ACTで制御する。接地電源線24がフローティング状態になると、メモリセル21のトランジスタのオフリーク電流に起因して接地電源線24が充電され、その電圧VCNが電源VSSの電圧から持ち上げられる。したがって、メモリセル21のオフリーク電流が減少し、メモリチップの待機時消費電力が低減される。接地電源線24の電圧VCNが上がり続けると、メモリセル21の保持データが短時間には読み出せなくなり、ついには該データが消滅してしまうので、NMOSトランジスタQN5を間欠的にオンさせる。

請求項（抜粋）：

複数のトランジスタで構成されたフリップフロップと、該フリップフロップの記憶ノードとビット線との間に介在しかつワード線の電圧に応じて開閉制御されるトランジスタとを有するメモリセルを備えた半導体記憶装置において、前記フリップフロップの2本の電源線のうちの少なくとも1本の電源線と電源との間に介在したスイッチ手段と、前記半導体記憶装置の待機時に前記スイッチ手段が間欠的に開くように前記スイッチ手段を制御するための制御手段とを更に備えたことを特徴とする半導体記憶装置。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-246089
特開昭58-062889
SRAMメモリバツクアツプ回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185293 出願人：三菱電機株式会社

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