特許

J-GLOBAL ID：200903000562828082

窒化ガリウムウエハおよび窒化ガリウムウエハのマーキング方法

発明者： 中山 雅博 ,  平野 哲也
出願人/特許権者： 住友電気工業株式会社
代理人 (1件)： 川瀬 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-008130
公開番号（公開出願番号）：特開2003-209032
出願日： 2002年01月17日
公開日（公表日）： 2003年07月25日
要約：

【要約】【課題】 可視光を吸収しない可視光に対し透明なGaN(窒化ガリウム)ウエハに標識を付すこと。【解決手段】 SiやGaAsに用いられるNd-YAGレーザの基本波(λ=1.06μm)や第2高波長(λ=532nm)のレーザ光では可視光に対し透明なGaN(窒化ガリウム)ウエハにマーキングできないため、400nm以下の短波長の光ビームまたは5000nm以上の長波長の光ビームを用い、これら光ビームをGaNウエハに照射して文字、記号よりなる標識をGaNウエハの表面、裏面或いは内部に刻印する。裏面に逆文字で書くと表面から正文字に見えて、表裏の区別が一目でわかるようになる。

請求項（抜粋）：

可視光に対して透明の窒化ガリウム基板に400nm以下の波長の光ビームまたは5000nm以上の波長の光ビームを照射して文字、記号よりなる標識を表面、裏面或いは内部に刻印した事を特徴とする窒化ガリウムウエハ。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  B23K 26/00 ,  B41J 2/44 ,  B23K101:40

FI (4件)：

H01L 21/02 A ,  B23K 26/00 B ,  B23K101:40 ,  B41J 3/00 Q

Fターム (3件)：

2C362CB67 ,  4E068AB01 ,  4E068DA10

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体ウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-234905   出願人：日立電線株式会社
• 窒化物半導体ウェーハ及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-014952   出願人：松下電器産業株式会社