半導体装置およびその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岩橋文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-052727
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257996
出願日： 2002年02月28日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 GaN系半導体による電界効果トランジスタのソース抵抗の低減、ドレイン電流の増大を図ることのできる半導体装置を提供する【解決手段】 GaN系半導体502の表面に適度の真空度においてプラズマ処理を施し、GaN系半導体502の表面を改質し、選択的に電子に対する表面ポテンシャルを低下させる。

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系半導体の表面をプラズマ中に曝すことにより、前記窒化ガリウム系半導体の電子に対する表面ポテンシャルを低下させる工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812

Fターム (12件)：

5F102FA01 , 5F102FA03 , 5F102GA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102HC00 , 5F102HC10

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-084336 出願人：松下電器産業株式会社
特開平4-250635

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