特許
J-GLOBAL ID：200903000674903907

半導体装置の製造方法

発明者：
井上 薫

井上 薫 について

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西井 勝則

西井 勝則 について

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池田 義人

池田 義人 について

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正戸 宏幸

正戸 宏幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-084336
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274140
出願日： 2000年03月24日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：
【要約】【課題】 GaN系半導体上に形成された絶縁膜の密着性向上、ショットキーダイオード特性の向上、オーミック電極のコンタクト抵抗の低減を目的とする。【解決手段】 アンモニアを含むガスを用いてGaN系半導体層2の表面をプラズマエッチングすることにより、GaN系半導体層2表面の改質あるいは清浄化を行う。
請求項（抜粋）：
アンモニアを含むガスを用いて(InxAl1-x)yGa1-yN層(0≦x≦1、0≦y≦1)の表面をプラズマエッチングすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/3065 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01S 5/323
FI (7件)：
H01L 21/28 A ,  H01L 21/28 301 H ,  H01S 5/323 ,  H01L 21/302 F ,  H01L 29/48 H ,  H01L 29/48 P ,  H01L 29/80 F
Fターム (35件)：
4M104AA04 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD22 ,  4M104DD79 ,  4M104GG03 ,  4M104GG04 ,  4M104GG09 ,  4M104HH09 ,  4M104HH15 ,  4M104HH17 ,  5F004AA14 ,  5F004BA14 ,  5F004DA00 ,  5F004DB19 ,  5F073CA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CB04 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA24 ,  5F073DA35 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC15
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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