特許

J-GLOBAL ID：200903000565865540

裏面照射型固体撮像素子

発明者： 今井 文一
出願人/特許権者： 富士フイルム株式会社
代理人 (1件)： 松浦 憲三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-095567
公開番号（公開出願番号）：特開2008-258201
出願日： 2007年03月30日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】 本発明は、SOIウエハを使用しながら、綿密に膜厚が制御された酸化膜を有する裏面照射型固体撮像素子を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の裏面照射型固体撮像素子54は、裏面に膜厚1〜50nmの酸化膜2を備えた半導体基板1と、半導体基板1の表面側に形成された受光部44と電荷転送部46と、酸化膜44上に形成されたカラーフィルター19とマイクロレンズ22を備える。酸化膜2を備えた半導体基板1が、シリコン基板上に酸化膜とシリコン層が形成されたSOIウエハを、KOHを主成分とする溶液で該シリコン基板を除去することにより作製される。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

裏面照射型固体撮像素子であって、 裏面に膜厚1〜50nmの酸化膜を備えた半導体基板と、前記半導体基板の表面側に形成された受光部と電荷転送部と、前記酸化膜上に形成されたカラーフィルターとマイクロレンズと、を備え、 前記酸化膜を備えた半導体基板が、シリコン基板上に酸化膜とシリコン層が形成されたSOIウエハを、KOHを主成分とする溶液で該シリコン基板を除去したものであることを特徴とする裏面照射型固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 B ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 U

Fターム (26件)：

4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA34 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118DA28 ,  4M118FA06 ,  4M118FA12 ,  4M118FA25 ,  4M118GA02 ,  4M118GB11 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  5C024AX01 ,  5C024BX01 ,  5C024CY47 ,  5C024DX01 ,  5C024GX03 ,  5C024GX24 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ02

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-142529   出願人：ソニー株式会社