特許

J-GLOBAL ID：200903003686556543

固体撮像素子とその製造方法、及び半導体集積回路装置とその製造方法

発明者： 横山 孝司 ,  長岡 弘二郎 ,  白岩 利章 ,  山本 康隆 ,  宇賀神 肇 ,  杉山 知広
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (2件)： 角田 芳末 ,  磯山 弘信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-142529
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268738
出願日： 2004年05月12日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：

【課題】 基板両面に構成要素を形成した固体撮像素子、半導体集積回路装置における高信頼性化を図る。【解決手段】 半導体基板2に、該半導体基板2と識別可能な材料による埋め込み層19からなり、埋め込み層19の面を半導体基板2の面と同一面としたアライメントマーク17が形成され、半導体基板2の表面側及び裏面側に、アライメントマーク17を基準に形成した構成要素9、PD、14、15等が設けられて成る。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板に、該半導体基板と識別可能な材料による埋め込み層からなり、前記埋め込み層の面を前記半導体基板の面と同一面としたアライメントマークが形成され、 前記半導体基板の表面側及び裏面側に、前記アライメントマークを基準に形成した構成要素が設けられている ことを特徴とする固体撮像素子。

IPC (1件)：

H01L27/146

FI (1件)：

H01L27/14 A

Fターム (19件)：

4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA09 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CA33 ,  4M118CA34 ,  4M118EA01 ,  4M118EA06 ,  4M118EA14 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA33 ,  4M118GA02 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体エネルギー検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-182354   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 撮像装置、撮像装置の製造方法、位置合わせ装置、露光装置、収差測定装置、およびデバイス製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-048804   出願人：株式会社ニコン