ダイヤモンド薄膜形成装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：飯阪泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-123469
公開番号（公開出願番号）：特開平6-305886
出願日： 1993年04月27日
公開日（公表日）： 1994年11月01日
要約：

【要約】[目的] 真空容器内で金属粒子等の不純物の混入しないダイヤモンド薄膜を形成すること。[構成] 真空容器内31に平行な一対の電極であるカソード電極32及びアノード電極33を配設し、一方のカソード電極32の材質をグラファイトとする。又、カソード電極32は高周波電源35と接続される。

請求項（抜粋）：

真空容器内にカソード電極とアノード電極とを対向して配設し、これら電極間に高周波電圧を印加する容量結合型の薄膜形成装置において、前記カソード電極の材質をグラファイトとすることを特徴とするダイヤモンド薄膜形成装置。

IPC (3件)：

C30B 29/04 , C23C 16/26 , C23C 16/50

引用特許：

審査官引用 (2件)

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