特許
J-GLOBAL ID：200903000602951362

金属配線の形成方法

発明者：
梶原 里美

梶原 里美 について


出願人/特許権者：
富士電機ホールディングス株式会社

富士電機ホールディングス株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-028357
公開番号（公開出願番号）：特開2007-208181
出願日： 2006年02月06日
公開日（公表日）： 2007年08月16日
要約：
【課題】金属配線同士が短絡することがない、信頼性の高い複数層の金属配線の形成方法を提供すること。【解決手段】第一層目の金属配線7の側壁が露出するように最初に使用したレジストマスク6を再度露光、現像してパターニングしてレジストマスク6aを形成し、第一層目の金属配線7の外側に空間12を形成する。この後、第二層目の金属配線8を第一層目の金属配線7の表面と側壁に形成する。金属配線間にレジストマスク6aが形成されているので、金属配線間に第二層目の金属配線の形成時に発生する析出物が形成されないので金属配線同士の短絡が防止され、高信頼性の金属配線が形成できる。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
半導体基板上に複数の金属配線を積層して形成した金属配線の形成方法において、レジストマスクを用いて前記半導体基板上に第一層目の金属配線を形成する工程と、該レジストマスクの開口部を広げて、前記第一層目の金属配線の側壁を露出させる工程と、前記開口部が広げられた前記レジストマスクを用いて前記第一層目の金属配線の表面および側壁に第ニ層目の金属配線を形成する工程を有することを特徴とする金属配線の形成方法。
IPC (4件)：
H01L 21/320 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/28 ,  H01L 23/52
FI (4件)：
H01L21/88 B ,  H01L21/288 E ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/88 R
Fターム (27件)：
4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB14 ,  4M104DD37 ,  4M104DD52 ,  4M104DD53 ,  4M104DD64 ,  4M104DD65 ,  4M104FF13 ,  4M104FF16 ,  4M104HH20 ,  5F033HH07 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033JJ01 ,  5F033KK09 ,  5F033MM08 ,  5F033MM11 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033PP33 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ19 ,  5F033XX31
引用特許：
出願人引用 (3件)

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