特許
J-GLOBAL ID：200903000612737474
半導体膜の製造方法及び薄膜トランジスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-305610
公開番号（公開出願番号）：特開平7-162002
出願日： 1993年12月06日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 高品質な半導体膜の量産性の良い製造方法を提供すること及びこの半導体膜を使用した薄膜トランジスタの量産性の良い製造方法を提供すること。【構成】 少なくとも、絶縁性基板1上に非単結晶半導体膜2を形成する工程と、該非単結晶半導体膜2の表面層を酸化して酸化膜3を形成する工程と、該酸化膜3を除去することにより半導体膜21を製造する工程からなることを特徴とする半導体膜の製造方法及びこの半導体膜を使用したことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。【効果】 低コストで大面積のガラス基板が使用でき、スループットが高く量産に適した、高品質な半導体膜及び薄膜トランジスタの製造方法を提供することができる。また、トランジスタ性能を示す移動度などの全ての特性を向上させることもできる。
請求項（抜粋）：
絶縁性基板上に非単結晶半導体膜を形成する工程と、該非単結晶半導体膜の表面層を酸化して酸化膜を形成する工程と、該酸化膜を除去することにより半導体膜を製造する工程とからなることを特徴とする半導体膜の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
, H01L 21/316
