特許
J-GLOBAL ID:200903000616787565

シリカゲルの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 塩澤 寿夫 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-185171
公開番号(公開出願番号):特開平9-030809
出願日: 1995年07月21日
公開日(公表日): 1997年02月04日
要約:
【要約】【課題】 BET比表面積、細孔容積及び平均細孔径を所望の範囲に変化制御させることができるシリカゲルの製造方法であって、細孔径分布がシャープなシリカゲルを得ることができる製造方法の提供。【解決手段】 シリカヒドロゲルを乾燥してシリカゲルを製造する方法であって、前記シリカヒドロゲルの乾燥をバッチ式流動乾燥により行うことを特徴とするシリカゲルの製造方法。乾燥するシリカヒドロゲルの水分は例えば50〜80wt%の範囲である。また、バッチ式流動乾燥を、例えば、排気ガス温度が20〜150°Cの範囲となるように行われる。
請求項(抜粋):
シリカヒドロゲルを乾燥してシリカゲルを製造する方法であって、前記シリカヒドロゲルの乾燥をバッチ式流動乾燥により行うことを特徴とするシリカゲルの製造方法。
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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