半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-200288
公開番号（公開出願番号）：特開平10-050878
出願日： 1996年07月30日
公開日（公表日）： 1998年02月20日
要約：

【要約】【課題】片面樹脂封止型パッケージにおける配線基板と封止樹脂層との密着性を高め、封止樹脂層の信頼性の向上を図る。【解決手段】チップ搭載面に被接続部を含む配線パターン23を有し、一部に貫通孔27を有する配線基板21と、外部接続端子22群を有する素子形成面が配線基板面にフェースダウン型に実装され、外部接続端子群が被接続部に接続された半導体チップ20と、樹脂がチップ・基板間を充填すると共にチップの少なくとも各外周側面を覆うようにトランスファモールド形成された封止樹脂層26と、基板のチップ非搭載面に導出・露出され、チップに電気的に接続された外部接続用端子25とを具備し、貫通孔は、チップ・基板の電気的接続部を避けるように位置するように形成された貫通孔主部27aの外周縁部からチップ搭載領域外まで枝状に貫通孔副部27が延びている。

請求項（抜粋）：

チップ搭載面に被接続部を含む配線を有し、一部に貫通孔を有する配線基板と、素子形成面に外部接続端子群を有し、前記素子形成面が前記配線基板のチップ搭載面にフェースダウン型に実装され、前記外部接続端子群が前記被接続部と電気的に接続された半導体チップと、前記半導体チップと配線基板との間を充填すると共に前記半導体チップの少なくとも各外周側面を覆うように樹脂がトランスファモールド形成された封止樹脂層と、前記配線基板のチップ非搭載面に導出・露出され、前記半導体チップに電気的に接続された外部接続用端子とを具備し、前記貫通孔は、前記半導体チップ・配線基板の電気的接続部を避けるように位置するように形成された貫通孔主部の外周縁部の1部から前記半導体チップの搭載領域外まで枝状に貫通孔副部が延びていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 23/12 , B29C 45/64 , B29C 45/76 , H01L 21/56 , H01L 21/60 311 , B29L 31:34

FI (5件)：

H01L 23/12 L , B29C 45/64 , B29C 45/76 , H01L 21/56 T , H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭64-024431
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-139056 出願人：富士通株式会社

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