特許

J-GLOBAL ID：200903000641530650

半導体レーザモジュールおよびレーザ光源

発明者： 曲 克明 ,  硴塚 孝明 ,  柳川 勉 ,  西田 好毅 ,  忠永 修 ,  梅木 毅伺 ,  遊部 雅生 ,  鈴木 博之
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-236870
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070979
出願日： 2007年09月12日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：

【課題】単一波長で狭帯域なスペクトル線幅を有する半導体レーザモジュールおよびレーザ光源を提供する。【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザの素子長で決まる共振波長間隔よりも狭い反射帯域を有するファイバグレーティングとを組み合わせた半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザからの出射光を、平行光に変換する第1レンズと、平行光をファイバに光学的に結合させる第2レンズと、第1レンズと第2レンズとの間の光軸上に配置され、半導体レーザの発振波長で屈折率が負となる光学材料とを備えた。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体レーザと、該半導体レーザの素子長で決まる共振波長間隔よりも狭い反射帯域を有するファイバグレーティングとを組み合わせた半導体レーザモジュールにおいて、 前記半導体レーザからの出射光を、平行光に変換する第1レンズと、 前記平行光をファイバに光学的に結合させる第2レンズと、 前記第1レンズと前記第2レンズとの間の光軸上に配置され、前記半導体レーザの発振波長で屈折率が負となる光学材料と を備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3件)：

H01S 5/14 ,  H01S 5/022 ,  G02F 1/37

FI (3件)：

H01S5/14 ,  H01S5/022 ,  G02F1/37

Fターム (14件)：

2K002AB12 ,  2K002BA01 ,  2K002GA10 ,  2K002HA18 ,  5F173AB35 ,  5F173AB43 ,  5F173AB50 ,  5F173AR04 ,  5F173ME23 ,  5F173ME85 ,  5F173ME87 ,  5F173MF14 ,  5F173MF39 ,  5F173MF40

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 波長変換素子用薄膜基板の製造方法及び波長変換素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-337313   出願人：日本電信電話株式会社