特許
J-GLOBAL ID:200903042140859222
波長変換素子用薄膜基板の製造方法及び波長変換素子の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
光石 俊郎 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-337313
公開番号(公開出願番号):特開2003-140214
出願日: 2001年11月02日
公開日(公表日): 2003年05月14日
要約:
【要約】【課題】 波長変換素子の製造に好適な薄膜基板(例えば3インチウエハの全面積にわたって均一な組成、膜厚を持つようなニオブ酸リチウムの薄膜基板)の製造方法を提供し、また、前記薄膜基板を用いて分極反転構造を有する光導波路を作製し、もって高性能な波長変換素子を提供する。【解決手段】 二次の非線形効果を有し且つ非線形定数が周期的に変調する構造をもつ第一の基板と、第二の基板とを貼り合わせる第一の工程と、第一の基板の厚さを薄くして光導波路を形成するための所定の厚さにする第二の工程とを有する波長変換素子用薄膜基板の製造方法において、前記第一の工程では第一の基板と第二の基板とを、熱処理による拡散接合によって直接貼り合わせる。
請求項(抜粋):
二次の非線形効果を有し且つ非線形定数が周期的に変調する構造をもつ第一の基板と、第二の基板とを貼り合わせる第一の工程と、前記第一の基板の厚さを薄くして光導波路を形成するための所定の厚さにする第二の工程とを有する波長変換素子用薄膜基板の製造方法であって、前記第一の工程では前記第一の基板と前記第二の基板とを、熱処理による拡散接合によって直接貼り合わせることを特徴とする波長変換素子用薄膜基板の製造方法。
Fターム (9件):
2K002AB12
, 2K002BA03
, 2K002CA02
, 2K002CA03
, 2K002EA07
, 2K002FA27
, 2K002FA29
, 2K002GA04
, 2K002HA21
引用特許:
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