特許
J-GLOBAL ID：200903000644583258

スパッタリング装置

発明者：
鈴木 正康

鈴木 正康 について


出願人/特許権者：
株式会社島津製作所

株式会社島津製作所 について


代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-081944
公開番号（公開出願番号）：特開2004-285453
出願日： 2003年03月25日
公開日（公表日）： 2004年10月14日
要約：
【課題】大面積の被処理基板への成膜に適したスパッタリング装置を提供すること。【解決手段】プラズマ生成部10は、誘電体板2の表面を伝播する表面波Sのエネルギーにより表面波励起プラズマPを生成する。ターゲット5に負の直流電圧または高周波電力が印加されると、プラズマP中のイオンによってターゲット5の組成粒子がスパッタされ、基板100上に堆積する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
誘電体板表面を伝播する表面波のエネルギーにより表面波励起プラズマを生成するプラズマ生成手段と、 負の直流電圧または高周波電力が印加され、前記表面波励起プラズマ中のイオンによりスパッタ作用を受けるターゲットと、 前記ターゲットからのスパッタ粒子が堆積する被処理基板を保持する基板保持部とを備えたことを特徴とするスパッタリング装置。
IPC (3件)：
C23C14/34 ,  H01L21/203 ,  H01L21/285
FI (3件)：
C23C14/34 T ,  H01L21/203 S ,  H01L21/285 S
Fターム (21件)：
4K029AA24 ,  4K029BA35 ,  4K029BB04 ,  4K029CA05 ,  4K029DC00 ,  4K029DC16 ,  4K029DC27 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029JA08 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB17 ,  4M104BB32 ,  4M104DD39 ,  5F103AA08 ,  5F103DD03 ,  5F103DD16 ,  5F103DD17 ,  5F103RR03
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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